[发明专利]稳定的无定形金属氧化物半导体有效
| 申请号： | 201410171285.5 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104022155B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 谢泉隆;俞钢 | 申请（专利权）人： | 希百特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 美国，加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及稳定的无定形金属氧化物半导体。本发明提供一种薄膜半导体器件，其具有含无定形半导体离子金属氧化物和无定形绝缘共价金属氧化物的混合物的半导体层。以与半导体层连通的方式设置一对端子，所述一对端子限定导电槽，并以与导电槽连通的方式设置栅极端子，且进一步设置该栅极端子以控制所述槽的导电。本发明还包括一种淀积混合物的方法，所述方法包括在淀积过程期间使用氮来控制在所得半导体层中的载流子浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定 无定形 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
一种底栅极、顶源极/漏极结构的薄膜半导体器件，包含：衬底；设置在所述衬底上的栅极；与所述栅极和所述衬底的周围区域呈叠加方式的栅极电介质层；以与所述栅极叠加的方式设置在所述栅极电介质层上的金属氧化物层；以其间具有空间的方式设置在所述金属氧化物层的上表面上的源极和漏极，所述空间与所述栅极呈叠加方式；在所述源极和所述漏极以及其间空间中的所述金属氧化物上至少部分设置的钝化层；以及所述金属氧化物层包含能隙小于4eV的无定形半导体离子金属氧化物和能隙大于6eV的无定形绝缘共价金属/非金属氧化物的混合物，所述无定形半导体离子金属氧化物的量大于混合物的17％且所述无定形绝缘共价金属/非金属氧化物的量大于混合物的5％，并且所述无定形绝缘共价金属/非金属氧化物的量足以防止所述无定形半导体离子金属氧化物在加工温度下变成多晶且粒度足够小以提供所述无定形半导体离子金属氧化物的连续网络。
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