[发明专利]单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶在审
| 申请号： | 201410171993.9 | 申请日： | 2010-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN104109906A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 藤井俊辅;川濑智博;羽木良明;桥尾克司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B11/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李亚;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种可通过较简单的构造获得良好品质的单晶的单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶，单晶制造装置(1)将坩埚(4)中保持的原料加热熔化后，使其从一个方向凝固，从而制造出单晶，具有安瓿(3)及坩埚(4)、底座(2)、加热器(5)，底座(2)支撑安瓿(3)，加热器(5)用于加热安瓿(3)及坩埚(4)，构成底座(2)的材料的导热率为0.5W/(m·K)以上、应形成的单晶的导热率的值以下，构成底座(2)的材料中，波长为1600nm以上、2400nm以下的光相对于厚4mm的该材料的透光率为10％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶，由含硅的砷化镓构成，其特征在于，包括：从籽晶侧宽度逐渐变大的单晶扩径部；以及与上述单晶扩径部连接，宽度变化率小于上述单晶扩径部的直体部，在上述单晶扩径部和上述直体部的边界，在与上述单晶的生长轴方向垂直的面内的、上述硅的平均浓度是1×1017cm‑3以上、7×1017cm‑3以下，位错密度的平均值为0cm‑2以上、2000cm‑2以下，对从上述单晶扩径部和上述直体部的边界获取的晶片的表面进行研磨后，在上述表面的每1cm2观察到的0.3μm以上的尺寸的散乱体的个数为2个以下。
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