[发明专利]纯二氧化硅侧壁的腔体结构、复合腔体及其形成方法有效
| 申请号： | 201410172285.7 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103922272A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 徐元俊 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐洁晶 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纯二氧化硅侧壁的腔体结构、复合腔体及其形成方法，该腔体结构的形成方法包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成二氧化硅层；对二氧化硅层作图形化，形成凹槽；提供键合片，将其与二氧化硅层键合，在硅衬底与键合片之间形成密闭的侧壁为二氧化硅的腔体结构。该复合腔体的形成方法在先获得该腔体结构的基础上包括步骤：在硅衬底的背面形成掩蔽层并对其作图形化；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至正面的二氧化硅层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和二氧化硅层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片，在键合片及二氧化硅层中形成小腔体。本发明提高了形成复合腔体时从硅衬底的背面刻蚀形成小腔体后小腔体介质厚度的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 侧壁 结构 复合 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种纯二氧化硅侧壁的腔体结构的形成方法，包括步骤：A.提供硅衬底(301)；B.在所述硅衬底(301)的正面形成二氧化硅层(302)；C.对所述二氧化硅层(302)作图形化，形成一个或多个侧壁为二氧化硅材料的凹槽(303)；D.提供键合片(304)，将所述键合片(304)与图形化的所述二氧化硅层(302)相键合，把所述凹槽(303)封闭，在所述硅衬底(301)与所述键合片(304)之间形成一个或多个密闭的侧壁为二氧化硅材料的腔体结构(305)。
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