[发明专利]改善finFET鳍结构表面氧化层形貌的方法在审
| 申请号： | 201410172389.8 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103928347A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 温振平 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种改善finFET鳍结构表面氧化层形貌的方法，包括：将带有鳍结构和隔离结构的半导体衬底置于反应腔室内；减小反应腔室的压强；通入氧气和氢气的混合气体；恒温加热半导体衬底，利用所产生的原子氧来氧化鳍结构表面，从而形成氧化层。采用本发明的方法，能够在鳍结构表面快速生成厚度一致且拐角光滑的氧化层，且所生成的氧化层的厚度超薄，有效改善了鳍结构表面氧化层的形貌，提高了finFET工艺的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 finfet 结构 表面 氧化 形貌 方法 | ||
【主权项】：
一种改善finFET鳍结构表面氧化层形貌的方法，其特征在于，包括：步骤S01：将带有鳍结构和隔离结构的半导体衬底置于反应腔室内；步骤S02：减小所述反应腔室的压强；步骤S03：通入氧气和氢气的混合气体；步骤S04：恒温加热所述半导体衬底，利用所产生的原子氧来氧化所述鳍结构表面，从而形成所述的氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410172389.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
