[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本申请涉及一种CMOS图像传感器包括，光电二极管，浮置扩散区，以及传输晶体管，所述传输晶体管的多晶硅栅极采用非均匀掺杂，使得从靠近所述浮置扩散区至靠近所述光电二极管的所述传输晶体管的沟道区内的电势呈阶梯状分布。

主权项

1.一种背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器包括：光电二极管，通过在第一导电类型半导体衬底内形成第二导电类型区域，从而形成光电二极管，其中，所述第二导电类型区域作为光生载流子收集区；浮置扩散区，形成于所述第一导电类型半导体衬底内，具有第二导电类型掺杂；以及传输晶体管，所述的传输晶体管的源极为所述光电二极管的所述第二导电类型区域、漏极为所述浮置扩散区；所述的传输晶体管还包括多晶硅栅极，所述多晶硅栅极覆盖传输晶体管的传输沟道区域，并至少部分覆盖所述光电二极管；所述多晶硅栅极采用非均匀掺杂，使得所述传输晶体管的沟道区内的电势呈阶梯形分布，其中所述传输晶体管还包括栅氧化层，所述传输晶体管的沟道区在与所述栅氧化层接触的情况下从所述源极延伸至所述漏极，并且其中非均匀掺杂的所述多晶硅栅极包括至少两个栅极子区域，其中靠近所述光电二极管的第一栅极子区域具有第一导电类型重掺杂，所述第一栅极子区域至少部分覆盖所述光电二极管，靠近所述浮置扩散区的第二栅极子区域具有第二导电类型重掺杂，所述第二栅极子区域至少部分覆盖所述传输晶体管的沟道。