[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201410172667.X | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105097912A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈金明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：有源区；以及伪有源区，伪有源区位于有源区的外侧并与有源区间隔布置；伪有源区包括第一伪有源区，第一伪有源区在有源区的外侧延伸形成连续条状。对于同样大小的半导体器件来说，本申请的延伸成连续条状的第一伪有源区由于取消了原本对应于有源区的空白区域，所以可以产生更多的应力作用在有源区上，满足应力加强型的半导体器件的要求，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：有源区；以及伪有源区，所述伪有源区位于所述有源区的外侧并与所述有源区间隔布置；其特征在于，所述伪有源区包括第一伪有源区，所述第一伪有源区在所述有源区的外侧延伸形成连续条状。
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