[发明专利]集成无源器件扇出型晶圆级封装结构及制作方法

摘要

本发明涉及一种集成无源器件扇出型晶圆级封装结构及制作方法，包括模塑料体和芯片；其特征是：在所述模塑料体中设置螺旋形金属布线层，模塑料体正面设置绝缘层，绝缘层中布置金属导线层，金属导线层连接芯片的电极和金属布线层，在金属导线层上设置焊球。所述封装结构的制作方法，采用以下步骤：（1）芯片塑封于模塑料体中；（2）模塑料体正面开设螺旋形槽体，在槽体中制作金属布线层；（3）模塑料体正面制作绝缘层，在绝缘层上开设窗口，在绝缘层表面制作金属层，并刻蚀成所需图形，得到金属导线层；（4）在金属导线层上制作绝缘层，在绝缘层上开设窗口，在窗口中制作焊球。本发明缩短芯片与被动器件之间的电学连接长度，提升了电学品质。

主权项

 一种集成无源器件扇出型晶圆级封装结构，包括模塑料体（1）和扇出型塑封于模塑料体（1）中的芯片（2），芯片（2）的正面具有第一电极（21）和第二电极（22）；其特征是：在所述模塑料体（1）中设置第一金属布线层（31）和第二金属布线层（32），第一金属布线层（31）和第二金属布线层（32）呈螺旋形分布于模塑料体（1）上；在所述模塑料体（1）的正面设置绝缘层（4），在绝缘层（4）中布置第一金属导线层（51）和第二金属导线层（52），第一金属导线层（51）连接芯片（2）的第一电极（21）和第一金属布线层（31），第二金属导线层（52）连接芯片（2）的第二电极（22）和第二金属布线层（32）；在所述第一金属导线层（51）和第二金属导线层（52）上分别设置一个或多个凸点下金属层（6）和焊球（7）。