[发明专利]高压MOSFET的结构和处理方法

摘要

本发明公开了一种高压MOSFET的结构和处理方法，其是一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件。该半导体功率器件包括形成在半导体衬底顶部的多个沟槽，穿过半导体衬底沿轴向水平延伸，每个沟槽都含有一个非线性部分，包括一个垂直于沟槽轴向的侧壁，该半导体功率器件从顶面开始垂直向下延伸到沟槽底面。该半导体功率器件还包括一个设置在沟槽底面下方的沟槽底部掺杂区，以及一个沿垂直侧壁设置的侧壁掺杂区，其中侧壁掺杂区沿沟槽的垂直侧壁向下垂直延伸，以触及沟槽底部掺杂区，拾取沟槽底部掺杂区到半导体衬底的顶面。

主权项

一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，其特征在于，其包括：一个形成在半导体衬底的顶部的沟槽，沿沟槽轴向延伸，其中沟槽还包括一个非线性部分，非线性部分包含在半导体衬底表面沿与沟槽轴向不在同一方向延伸的非线性沟槽侧壁，使非线性沟槽侧壁的整个垂直长度裸露出来，以直接接收沿沟槽轴向倾斜注入的掺杂离子，沿非线性沟槽侧壁的整个垂直长度，构成侧壁掺杂区；以及一个设置在沟槽底面下方的沟槽底部掺杂区，侧壁掺杂区沿非线性沟槽侧壁向下延伸，以触及沟槽底部掺杂区，拾取沟槽底部掺杂区到半导体衬底的顶面。