[发明专利]一种全硅结构的MENS真空传感器在审
| 申请号： | 201410173323.0 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105021345A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | 戴永正;陈厚源;顾宇锋;钱雨;孟宪忠;刘波 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;江苏南瑞泰事达电气有限公司;江苏省电力公司;江苏省电力公司泰州供电公司 |
| 主分类号： | G01L21/16 | 分类号： | G01L21/16 |
| 代理公司： | 泰州地益专利事务所 32108 | 代理人： | 王楚云 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全硅结构的MENS真空传感器，载体（1）的中心设有通孔（2），载体（1）一侧的外侧设有芯片架Ⅰ（3），载体（1）另一侧的外侧设有芯片架Ⅱ（4），在载体（1）一侧的内侧设有电极片Ⅰ（5），载体Ⅱ（2）另一侧的内侧设有电极片Ⅱ（6），芯片架Ⅰ（3）与芯片架Ⅱ（4）之间横向设有电极片Ⅲ（7），电极片Ⅲ（7）覆盖在电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）的上部，电极片Ⅲ（7）与电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）相对，电极片Ⅲ（7）与电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）之间设有真空层（8），电极片Ⅲ（7）的上部设有感应片（9），感应片（9）的中心设有弹性元件（10）。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 mens 真空 传感器 | ||
【主权项】：
一种全硅结构的MENS真空传感器，其特征是它设有真空传感器的主体，所述的真空传感器的主体设有载体（1），在载体（1）的中心设有通孔（2），在载体（1）一侧的外侧设有芯片架Ⅰ（3），在载体（1）另一侧的外侧设有芯片架Ⅱ（4），芯片架Ⅰ（3）与芯片架Ⅱ（4）对称设置，在载体（1）一侧的内侧设有电极片Ⅰ（5），在载体Ⅱ（2）另一侧的内侧设有电极片Ⅱ（6），电极片Ⅰ（5）与电极片Ⅱ（6）对称设置在通孔（2）的两侧与通孔（2）相邻，在芯片架Ⅰ（3）与芯片架Ⅱ（4）之间横向设有电极片Ⅲ（7），电极片Ⅲ（7）覆盖在电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）的上部，电极片Ⅲ（7）与电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）相对，在电极片Ⅲ（7）与电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）之间设有真空层（8），在电极片Ⅲ（7）的上部设有感应片（9），在感应片（9）的中心设有弹性元件（10）。
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