[发明专利]提高工艺片成膜均匀性的方法有效
| 申请号： | 201410174514.9 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103928317B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 黄自强 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高工艺片成膜均匀性的方法，其包括向热的氧化炉炉管内通入氮气；旋转工艺片承载舟，并从原始位置升舟至第一位置；保持旋转工艺片承载舟，对工艺片进行主氧化工艺；主氧化工艺完成后，保持旋转工艺片承载舟，从工艺行程位置降舟至原始位置。本发明通过升舟、降舟和主氧化工艺的过程中保持低速旋转工艺片承载舟，来减小温度场、气流场分布不均匀对工艺片成膜均匀性的影响，从而优化半导体立式炉设备中工艺片的成膜均匀性，同时降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 工艺 片成膜 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种提高工艺片成膜均匀性的方法，其特征在于，其包括：步骤S01，向热的氧化炉炉管内通入氮气；步骤S02，旋转工艺片承载舟，同时将所述工艺片承载舟从原始位置升舟至工艺行程位置；步骤S03，保持旋转所述工艺片承载舟，同时对工艺片进行主氧化工艺；步骤S04，主氧化工艺完成后，将所述工艺片承载舟从所述工艺行程位置降舟至所述原始位置，其中在所述工艺片承载舟从所述工艺行程位置下降至所述原始位置上方的同时保持旋转所述工艺片承载舟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
