[发明专利]针对薄膜沉积产生负载效应的消除方法

摘要

本发明提供一种在降低短沟道效应后所沉积的薄膜产生负载效应的消除方法，首先采用增加栅极侧墙的宽度方法进行离子注入，来降低短沟道效应；然后，减小栅极侧墙的宽度，再进行薄膜沉积工艺。减小栅极侧墙宽度的方法为：利用抗反射层保护住栅极和栅极侧墙的顶部，并利用图案化的抗反射层来定义栅极侧墙要减少的宽度，再采用干法刻蚀工艺刻蚀减薄栅极侧墙。很明显，由于栅极侧墙的宽度减少了，栅极之间的填充空间就增加了，从而进一步提升栅极之间的薄膜填充能力，避免了采用现有的在降低短沟道效应的方法之后进行薄膜沉积时出现的负载效应。

主权项

一种在降低短沟道效应后所沉积的薄膜产生负载效应的消除方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：在半导体衬底上形成栅极和栅极侧墙；步骤S02：增加所述栅极侧墙的宽度，并对所述半导体衬底进行源漏区离子注入；步骤S03：在所述半导体衬底上覆盖一层抗反射层；步骤S04：在所述抗反射层表面涂覆光刻胶，采用光刻工艺，图案化所述光刻胶，在所述光刻胶中形成所述栅极侧墙要减薄区域的图案；步骤S05：以图案化的所述光刻胶为模版，采用干法刻蚀工艺，图案化所述抗反射层，在所述抗反射层中形成所述栅极侧墙要减薄区域的图案；步骤S06：以图案化的所述抗反射层为掩膜，经干法刻蚀工艺，减薄所述栅极侧墙；步骤S07：在所述半导体衬底上沉积薄膜。