[发明专利]晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构有效
申请号: | 201410175210.4 | 申请日: | 2014-04-28 |
公开(公告)号: | CN105024005B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 蔡勇;徐飞;张亦斌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64;H01L33/62;H01L25/075 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构,其包括绝缘基体以及弹性导电机构,该弹性导电机构与绝缘基体固定连接,其中该弹性导电机构一端部或两端之间的选定部位与绝缘基体之间形成有可供夹持固定所述晶圆级半导体器件的弹性夹持结构,当将该晶圆级半导体器件插入该弹性夹持结构时,该弹性导电机构一端或两端之间的选定部位还与该晶圆级半导体器件的阴极或阳极电性接触,该晶圆级半导体器件包括晶圆级基片及由生长在所述基片一面上的外延层直接加工形成的复数功能单胞。本发明不仅易于加工,成本低廉,且在安装、更换、维修时,只需简单插拔动作,操作便捷,不会损及晶圆级半导体器件,而且可有效保障操作人员的人身安全。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级 半导体器件 插拔式电 连接 结构 | ||
【主权项】:
一种晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构,其特征在于包括绝缘基体以及弹性导电机构,所述弹性导电机构与绝缘基体固定连接,其中所述弹性导电机构一端部或两端之间的选定部位与绝缘基体之间形成有可供夹持固定所述晶圆级半导体器件的弹性夹持结构,当将所述晶圆级半导体器件插入所述弹性夹持结构时,所述弹性导电机构一端或两端之间的选定部位还与所述晶圆级半导体器件的阴极或阳极电性接触,其中所述晶圆级半导体器件包括:直径在2英寸以上的晶圆级基片,形成于基片表面且并联设置的多个串联组,每一串联组包括串联设置的多个并联组,每一并联组包括并联设置的多个功能单胞,其中每一功能单胞均是由直接外延生长于所述基片表面的半导体层加工形成的独立功能单元,以及导线,其至少电性连接于每一串联组中的一个选定并联组与所述半导体器件的一个电极之间和/或两个选定并联组之间,用以使所有串联组的导通电压一致,其中,形成于基片表面的所有功能单胞中的部分功能单胞为正常单胞,其余为冗余单胞,所有正常单胞被排布为并联设置的多个多级单元组,任一多级单元组包括串联设置的多个第一并联组,并且任一多级单元组中选定的M个第一并联组还与N个第二并联组串联形成一串联组,任一第一并联组包括并联设置的多个正常单胞,任一第二并联组包括并联设置的多个冗余单胞,M为正整数,N为0或正整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410175210.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。