[发明专利]一种高压集成电路有效
| 申请号： | 201410175912.2 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103928435B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 乔明;张昕;文帅;齐钊;黄军军;薛腾飞;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227 | 代理人： | 李顺德,王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种高压集成互连电路。本发明的高压集成电路，包括通过高压互连线4连接的LDMOS区和高压电路区，所述LDMOS区包括LDMOS源极1、LDMOS漏极2和P型阱区3；所述LDMOS漏极2、P型阱区3、和高压电路区周围设置有高压结终端18；高压互连线4的一端穿过P型阱区3与LDMOS漏极2连接，其另一端与高压电路区连接；其特征在于，所述高压结终端18在P型阱区3处向高压互连线4的两侧内凹。本发明的有益效果为，能有效节省版图面积、简化工艺复杂度，降低器件成本。本发明尤其适用于自屏蔽高压集成互连电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 集成电路 | ||
【主权项】：
一种高压集成电路，包括通过高压互连线(4)连接的LDMOS区和高压电路区，所述LDMOS区包括LDMOS源极(1)、LDMOS漏极(2)和P型阱区(3)；所述LDMOS漏极(2)、P型阱区(3)、和高压电路区外围设置有高压结终端(18)；高压互连线(4)的一端穿过P型阱区(3)与LDMOS漏极(2)连接，其另一端与高压电路区连接；其特征在于，所述高压结终端(18)在P型阱区(3)处的两侧内凹，使P型阱区(3)两侧的高压结终端(18)相互靠近。
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