[发明专利]用于场发射器件的二硫化钼薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于场发射器件的二硫化钼薄膜的制备方法，包括：提供硫蒸气；将硫蒸气吹入置有衬底和MoO₃粉末的反应腔，以使MoO₃粉末与硫蒸气反应生成气态的MoO_x并沉积到衬底上，其中2≤x＜3；向所述反应腔中继续通入硫蒸气，先将反应腔加热到预设反应温度持续预设反应时间，然后将反应腔降温至室温并持续第二反应时间，以使硫蒸气与MoO_x在衬底表面形成先平面生长后垂直生长的二硫化钼薄膜。本发明的二硫化钼薄膜的制备方法简单易行，得到的MoS₂薄膜场发射性能好。

主权项

一种用于场发射器件的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供硫蒸气；将所述硫蒸气吹入置有衬底和MoO₃粉末的反应腔，以使所述MoO₃粉末与所述硫蒸气反应生成气态的MoO_x并沉积到所述衬底上，其中2≤x＜3；向所述反应腔中继续通入所述硫蒸气，先将所述反应腔加热到预设反应温度持续预设反应时间，然后将所述反应腔降温至室温，以使所述硫蒸气与所述MoO_x在所述衬底表面形成先平面生长后垂直生长的二硫化钼薄膜。