[发明专利]有键合衬底上冷却附接半导体芯片的冷却结构的功率模块在审
| 申请号： | 201410178315.5 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN104134638A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | W·哈布莱;A·格雷斯曼;F·温特;O·盖特纳;A·施瓦茨;A·赫布兰特;L·柯尼希;A·尤勒曼 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供了有键合衬底上冷却附接半导体芯片的冷却结构的功率模块。根据一个示例性实施例，提供了一种功率模块，其包括半导体芯片，包括导电板以及直接附接至该导电板并且热耦合至半导体芯片的电绝缘板的键合衬底，以及直接附接至导电板并且被配置为在与冷却流体交互时从半导体芯片去除热的冷却结构的阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 有键合 衬底 冷却 半导体 芯片 结构 功率 模块 | ||
【主权项】：
一种功率模块，包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有第一主表面以及与所述第一主表面相对的第二主表面；第一键合衬底，所述第一键合衬底具有耦合至所述半导体芯片的所述第一主表面的第一键合表面，并且具有与所述第一键合表面相对的第一散热表面；第二键合衬底，所述第二键合衬底具有耦合至所述半导体芯片的所述第二主表面的第二键合表面，并且具有与所述第二键合表面相对的第二散热表面；第一冷却结构，所述第一冷却结构在所述第一散热表面上被配置用于在与冷却流体交互时从所述半导体芯片去除热；以及第二冷却结构，所述第二冷却结构在所述第二散热表面上被配置用于在与所述冷却流体交互时从所述半导体芯片去除热。
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