[发明专利]一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构和制备方法

摘要

本发明涉及一种基于N型硅衬底背面接触式太阳电池结构和制备方法。N型硅衬底受光面设置有一层以上减反射层的叠层结构；N型硅衬底背光面为相互交替的N型层部分与P型层部分，N型层部分依次为N型硅衬底、减反射层，以及穿透减反射层与N型硅衬底接触的电极；P型层部分依次为N型硅衬底、P型晶硅层、减反射层，以及穿透减反射层与P型晶硅层连接的电极。本发明可以兼容传统晶硅生产线，可以经过升级改造实现背接触太阳电池的生产，相对于传统晶硅太阳电池，避免常规太阳电池正面电极遮光的问题，降低金属电极的使用量，提高了太阳电池的效率；并且相对于传统HIT电池、IBC太阳电池，不但制备工艺简单，设备成本也很低。

主权项

一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构，其特征在于，N型硅衬底受光面设置有一层以上减反射层的叠层结构；N型硅衬底背光面为相互交替的N型层部分与P型层部分，N型层部分依次为N型硅衬底、减反射层，以及穿透减反射层与N型硅衬底接触的电极；P型层部分依次为N型硅衬底、P型晶硅层、减反射层，以及穿透减反射层与P型晶硅层连接的电极。