[发明专利]一种解决铸造晶体硅长晶阴影缺陷的方法

摘要

本发明涉及一种解决铸造晶体硅长晶阴影缺陷的方法，其方法步骤如下1.确定长晶阴影缺陷出现的长晶阶段。2.测量长晶速率。3.根据长晶速率调整长晶工艺配方。本技术方法针对性的解决了铸造晶体硅定向凝固长晶过程中出现的长晶阴影缺陷，最终提高了晶体硅太阳能电池片的光电转换效率。

主权项

一种解决铸造晶体硅长晶阴影缺陷的方法，其特征在于：具体步骤如下：（ 1）.确定长晶阴影缺陷出现的长晶阶段：选取具有长晶阴影缺陷的晶体硅，测量其总高度，再测得其对应硅锭定向凝固长晶的总耗时，因此计算出硅锭平均长晶速率=总高度/总耗时，通过测量该长晶阴影距离底部的距离，计算出阴影出现的时间=阴影距离底部的距离/平均长晶速率，根据各个长晶阶段设定的工艺时间、长晶速率、阴影锭产生的位置及长晶工艺配方，确定出长晶阴影缺陷出现的长晶阶段；（ 2）.测量长晶速率：按照正常铸锭流程，重新装料开始铸锭，并在炉体上方安装石英棒，其长度1.5‑2m,直径8‑10mm，待铸锭炉运行至长晶阶段时开始测量长晶每个小时的长晶速率，制成表格的形式体现，测量出现阴影时的长晶高度，在表格中对应到其中一个或几个步骤的剩余时间，从表格中的长晶速率来看，此时的长晶速率出现一个突变，这个长晶速率的突变是产生阴影的原因；（ 3）.根据长晶速率调整长晶工艺配方：一般情况下，无论在长晶配方中任何一个阶段出现长晶阴影，在确定长晶速率突变的阶段之后，若长晶速率突变为低速率，则要通过降低温度或增加隔热笼的位置来增加长晶速率，若长晶速率突变为高速率，则通过增加温度或降低隔热笼的位置来降低长晶速率；调整过程中，隔热笼调整位置范围差不超过±4cm，长晶温度的调整不超过±8℃。