[发明专利]一种硫化镉半导体薄膜的简单高效制备方法在审
| 申请号： | 201410179686.5 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103943463A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 夏国栋;王素梅 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 张贵宾 |
| 地址： | 250353 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体材料与器件领域，特别涉及一种硫化镉半导体薄膜的简单高效制备方法。(1)合成黄原酸镉单源前驱体；(2)制备单源黄原酸镉前驱体溶液；(3)制备硫化镉薄膜。本发明工艺简单易操作，原料廉价易得，所制备的硫化镉薄膜结晶质量高，成分易控制，外观上连续，均匀，致密，表面平整光亮，且与衬底的结合牢固可靠，也可在形状复杂的衬底上制备薄膜；通过上述工艺可以避免通常的多步复杂工艺、工艺周期长或高真空昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产，所制备的硫化镉薄膜可应用于太阳能电池、平板显示器和发光二极管等光电器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 半导体 薄膜 简单 高效 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硫化镉半导体薄膜的简单高效制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(1) 合成单源前驱体：采用沉淀法合成单源黄原酸镉前驱体；(2) 制备前驱体溶液：将单源黄原酸镉前驱体溶解在吡啶或含吡啶基团溶剂中，制备出均匀的浓度为0.01‑2.5g/ml的黄原酸镉前驱体溶液；(3) 制备硫化镉薄膜：将黄原酸镉前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成前驱体薄膜，然后经过一定温度、时间和气氛的退火，就可得到硫化镉薄膜或颗粒层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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