[发明专利]具有带有补偿层和介电层的超级结结构的半导体器件在审
| 申请号： | 201410179746.3 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104134685A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | B.菲舍尔;S.加梅里特;M.施密特;A.维尔梅罗特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;胡莉莉 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有带有补偿层和介电层的超级结结构的半导体器件。超级结半导体器件包括具有n型补偿层和p型补偿层的分层的补偿结构；介电层，面对p型层；以及中间层，插入在介电层与p型补偿层之间。提供分层的补偿结构和中间层，以使得当在n型补偿层和p型补偿层之间施加反向阻断电压时，在介电层的方向上被加速的空穴具有不足以被吸收并且合并到介电材料中的能量。由于介电层比没有中间层的情况吸收并且合并明显更少的空穴，因此击穿电压在长的操作时间上保持稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 带有 补偿 介电层 超级 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种超级结半导体器件，包括：分层的补偿结构，包括n型补偿层和p型补偿层；介电层，面对p型层；中间层，插入在所述介电层与所述p型补偿层之间，所述分层的补偿结构和所述中间层被部署为使得当在所述n型补偿层和所述p型补偿层之间施加反向阻断电压时，在所述介电层的方向上被加速的空穴具有不足以被吸收并且合并到介电材料中的能量。
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