[发明专利]共轭式三相电抗器的设计方法有效
| 申请号： | 201410179851.7 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103996490B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈锦棠;方木松 | 申请（专利权）人： | 东莞市光华实业有限公司 |
| 主分类号： | H01F17/04 | 分类号： | H01F17/04;H01F27/24;H01F27/30 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司35203 | 代理人： | 徐勋夫 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市石龙镇黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种共轭式三相光伏电抗器的设计方法，选择上轭、上芯柱、中轭、下芯柱、下轭构成一框架，并于上芯柱和下芯柱上分别对应绕制第一线圈、第二线圈，其中由上轭、上芯柱、第一线圈和中轭共同构成三相付电抗器，由下轭、下芯柱、第二线圈和前述中轭共同构成三相主电抗器，所述付电抗器和主电抗器产生磁通在中轭上得以部分抵消，所述下轭截面积为S1，所述中轭截面积为S2，依据S2=M*S1*1.2设计中轭截面积，M为中轭上抵消后剩下磁通Φ1/下轭上磁通Φ2，如此可减小中轭截面积，降低材料成本，又可保证共用中轭的温升达到要求，又可使噪音降低，整机效率亦得以提升。 | ||
| 搜索关键词： | 共轭 三相 电抗 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种共轭式三相光伏电抗器的设计方法，其特征在于：选择上轭、上芯柱、中轭、下芯柱、下轭构成一框架，该上芯柱位于上轭与中轭之间，该下芯柱位于下轭与中轭之间，并于上芯柱和下芯柱上分别对应绕制第一线圈、第二线圈，其中由下轭、下芯柱、第二线圈和前述中轭共同构成三相主电抗器，由上轭、上芯柱、第一线圈和中轭共同构成三相付电抗器，所述主电抗器和付电抗器产生磁通在中轭上得以部分抵消，所述主电抗器、付电抗器所通过的额定电流IL相同，且该主电抗器的电感是付电抗器的电感两倍，所述主电抗器的磁感应强度BZ设定在0.8T‑1.04T之间，所述付电抗器的磁感应强度BZ设定在1.1T‑1.25T之间,所述第二线圈的匝数N2大于第一线圈匝数N1，所述下轭截面积为S1，所述中轭截面积为S2，依据S2=M*S1*1.2设计中轭截面积，M为中轭上抵消后剩下磁通Φ1/下轭上磁通Φ2。
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