[发明专利]一种压敏陶瓷电阻无效
申请号: | 201410180114.9 | 申请日: | 2014-04-30 |
公开(公告)号: | CN103964837A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 赵鸣;李海松;李保卫;任慧平;石钰 | 申请(专利权)人: | 内蒙古科技大学 |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;C04B35/622 |
代理公司: | 包头市专利事务所 15101 | 代理人: | 庄英菊 |
地址: | 014010 内*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种压敏陶瓷电阻,特别是一种采用传统陶瓷工艺即在800℃烧结的压敏陶瓷电阻,属于电子元件领域。本发明通过同时掺杂0.25%~2.0%摩尔氧化钒和0.2%~0.7%摩尔氧化钛来确保其低温烧结特性,在此基础上继续通过添加碳酸锰或氧化锰、氧化钴氧化铌及氧化铋等来确保其优异压敏特性的压敏电阻。采用传统氧化物陶瓷工艺制备时,其陶瓷体可在800℃左右烧结,最高的非线性系数最高可达40以上,其漏电流为0.3mA/cm2左右,压敏电压为300~2000V/mm。本发明无需添加稀土氧化物,制备工艺简单,性能优良,是低成本压敏电阻及片式压敏电阻的优良候选材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 电阻 | ||
【主权项】:
一种压敏陶瓷电阻,其特征在于:按摩尔百分比计量时,其陶瓷原料包括:0.25%~2.0%摩尔氧化钒、0.2%~0.7%摩尔氧化钛;同时添加0.1%~1.0%摩尔氧化钴(Co2O3)、0.1%~2.0%碳酸锰或氧化锰,其余为氧化锌;采用传统混合氧化物法制备时,在750~850℃温度范围内经1~8小时烧结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古科技大学,未经内蒙古科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410180114.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。