[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种LED芯片及其制作方法。该LED芯片包括多个电气隔离的LED发光外延结构，多个LED发光外延结构的P型电极和N型电极依次电气连接，其分别包括位于LED芯片边缘的至少两个LED发光外延结构的各自的第一P型电极和第一N型电极，多个LED发光外延结构上表面包括第一区域与第二区域，第一区域包括第一P型电极的上表面和第一N型电极的上表面，第二区域包括除第一区域外的区域，第二区域上设置有第一绝缘介质膜层，第一P型电极和第一N型电极分别延伸有一个延伸部，延伸部沿着第一绝缘介质膜层的侧壁向上并从第一绝缘介质膜层的边缘向内延伸。通过上述的LED芯片的结构，能够降低封装的难度，并且实现高压工作模式。

主权项

一种LED芯片，包括衬底和设置在所述衬底上的多个电气隔离的LED发光外延结构，其中，每个LED发光外延结构包括P型电极和N型电极，多个所述LED发光外延结构的P型电极和N型电极通过电连接线依次电气连接，其特征在于：所述P型电极和N型电极分别包括位于LED芯片边缘的至少两个LED发光外延结构的各自的第一P型电极和第一N型电极，多个所述LED发光外延结构的上表面包括第一区域与第二区域，所述第一区域包括所述第一P型电极的上表面和所述第一N型电极的上表面，所述第二区域包括除所述第一区域外的区域；所述第二区域上设置有第一绝缘介质膜层；所述第一P型电极和第一N型电极分别延伸有一个延伸部，所述延伸部沿着所述第一绝缘介质膜层的侧壁向上并从第一绝缘介质膜层的边缘向内延伸，所述第一P型电极和第一N型电极与其各自的延伸部分别作为LED芯片的封装电极直接焊接到管壳电极上；其中，在每个所述LED发光外延结构的P型电极和N型电极之间的侧壁表面，以及相邻的两个LED发光外延结构的P型电极和N型电极之间的LED发光外延结构的侧壁上设置有第二绝缘介质膜层，并且所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层具有高反射率，其中，所述延伸部是由铬、镍、钛、钨、金、银、铝或铜中的一种或至少两种形成的金属层；所述金属层包括位于所述第一P型电极和所述第一N型电极正上方的两个第一金属层以及分别从两个所述第一金属层末端沿第一绝缘介质膜层表面向内延伸的两个第二金属层，其中，所述第二金属层上电镀有加厚层，所述加厚层由金组成或由铜及其上的薄金层组成。