[发明专利]带有可变验证操作的非易失性存储器(NVM)有效
| 申请号： | 201410180987.X | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104134459B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 穆复宸;王彦卓 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了带有可变验证操作的非易失性存储器(NVM)。一种编程/擦除(204,206)非易失性存储器(NVM)阵列(104)的方法，包括：基于所述NVM阵列的温度(112)确定第一数目(NREG)。所述第一数目的编程/擦除脉冲被施加(308)于所述NVM阵列。在开始施加之后已达到所述第一数目之后，首次执行所述NVM的第一验证(304)。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 可变 验证 操作 非易失性存储器 nvm | ||
【主权项】：
1.一种擦除非易失性存储器NVM阵列的方法，包括：/n基于所述NVM阵列的温度，确定第一数目；/n将所述第一数目的擦除脉冲施加于所述NVM阵列；以及/n在开始施加之后在已达到所述第一数目之后，首次执行所述NVM的第一验证，/n其中，所述确定的进一步特征在于：所述第一数目选自于多个数目，所述多个数目对应于温度范围，/n且其中，所述确定的进一步特征在于：所述多个数目中的每一个受到在其对应的所述温度范围实现擦除所需的脉冲数目变化的影响。/n
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