[发明专利]自定义、低电容焊线盘有效
| 申请号： | 201410181369.7 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104134642B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 费尔南多·A·桑托斯;玛格丽特·A·希马诺夫斯基;莫德·萨利敏·萨尔卢丁 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/49 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈依虹;刘光明 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及自定义、低电容焊线盘。提供了键合盘区域(405)，该键合盘区域通过减小键合盘的有效面积，减小了在键合盘金属化和底层硅之间生成的寄生电容，同时保持了焊线位置的灵活性并确保了焊线的机械完整性。在将被填充有传统母线键合盘的区域中，实施例提供了小的母线键合盘(420)，该小的母线键合盘小于所述区域(405)面积的一半并且用未电连接到所述小的母线键合盘或彼此未电连接的金属块(430、620、630、640、650)填充了剩余面积的至少一部分。所述金属块给一个或多个焊线的至少一部分提供了附着面积。只有涉及了到焊线(610)的连接的那些块，连同小的母线键合盘有助于寄生电容(605、625、635、645)。 | ||
| 搜索关键词： | 键合盘 母线 焊线 寄生电容 低电容 电连接 焊线盘 金属块 自定义 填充 机械完整性 传统母线 焊线位置 有效面积 底层硅 减小键 金属化 附着 合盘 减小 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：有源器件区域；键合盘区域，其中所述键合盘区域包括第一键合盘，所述第一键合盘电耦合到所述有源器件区域，多个键合盘块，所述多个键合盘块与所述第一键合盘、彼此的键合盘块以及所述有源器件区域电隔离；以及焊线，所述焊线形成于所述第一键合盘和所述多个键合盘块的子集上。
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