[发明专利]测试结构及其版图生成方法有效
| 申请号： | 201410182131.6 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103970946B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 崔丛丛;刘梅;马杰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种测试结构，包括衬底以及所述衬底上的n×m个阵列的子MOS结构，每一所述子MOS结构包括栅极以及有源区；第i行、第j列的所述子MOS结构还包括栅极通孔以及有源区通孔；n≥3，m≥3，1＜i＜n，1＜j＜m，n、m、i、j均为正整数。本发明还提供一种测试结构的版图生成方法。在所述测试结构中，第i行、第j列的所述子MOS结构作为待测试的MOS管，其余的所述子MOS结构作为冗余MOS管，提高所述测试结构中的图形密度分布的均匀型，使得所述测试结构在制备过程中，避免受化学机械研磨和刻蚀等工艺的影响大，从而提高可靠性测试的结果的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 及其 版图 生成 方法 | ||
【主权项】：
一种测试结构，其特征在于，包括衬底以及所述衬底上的n×m个阵列的子MOS结构，每一所述子MOS结构包括：有源区，设置于所述衬底上；栅极，设置于所述有源区上；其中，第i行、第j列的所述子MOS结构还包括：栅极通孔，设置于所述栅极上；有源区通孔，设置于所述有源区上；第i行、第j列的所述子MOS结构作为待测试的MOS管，其余的所述子MOS结构作为冗余MOS管；n≥3，m≥3，1＜i＜n，1＜j＜m，n、m、i、j均为正整数。
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