[发明专利]一种硅系太阳能电池和其制备方法与制备装置以及其表面结构

摘要

本发明提供一种硅系太阳能电池表面结构包括在硅系太阳能电池表面上形成的凹坑和坐落在凹坑内的金属颗粒。还提供采用本发明所述表面结构的一种量子效率高的硅系太阳能电池，以及一种操作简单，成本低廉能够制备该硅系太阳能电池的方法，包括如下步骤制备反应溶液，制备金属颗粒，刻蚀得到如本发明所述的硅系太阳能电池。还提供一种硅系太阳能电池的制备装置，包括用于加热硅系太阳能电池片的加热装置，用于将反应溶液喷涂到被加热硅系太阳能电池片上的喷涂装置，用于容纳刻蚀液的容纳装置。本发明是通过内部坐落金属颗粒的凹坑改变硅系太阳能电池表面的织态结构，产生协同作用，当光线照射到金属颗粒时产生表面等离子体共振效应，提高转换效率。

主权项

一种硅系太阳能电池表面结构，其特征在于，由在硅系太阳能电池表面(3)金字塔结构上形成的凹坑(1)和坐落在凹坑(1)内的金属颗粒(2)形成；凹坑(1)的底部至少深入到硅系太阳能电池的掺杂n层、掺杂p层或p‑n结区，对应凹坑(1)内的金属颗粒(2)坐落在掺杂n层、掺杂p层或p‑n结区。