[发明专利]一种基于无机物的LED积层电路板的制造方法有效
| 申请号： | 201410183601.0 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN105023991B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 程君;严敏;周鸣波 | 申请（专利权）人： | 环视先进数字显示无锡有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京权泰知识产权代理事务所(普通合伙)11460 | 代理人： | 王道川,杨勇 |
| 地址： | 214100 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于无机物的LED积层电路板的制造方法，包括对碳化硅SiC基板的整板镀导电介质；对SiC基板进行激光钻通孔加工；对SiC基板的整板镀导电介质；其中所述通孔由所述导电介质完全填充；对所述SiC基板的第一表面的导电介质进行图形化刻蚀；对所述SiC基板的第二表面的导电介质进行图形化刻蚀；气相淀积SiO2，形成基板保护层；对所述SiC基板的上表面的基板保护层进行图形化刻蚀，在图形化区域内露出金属焊盘电极；在所述金属焊盘电极上生长晶格适配层；所述晶格适配层的晶格结构与所述LED的晶格结构相同。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 无机物 led 电路板 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于无机物的LED积层电路板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：对碳化硅SiC基板的整板镀导电介质；对SiC基板进行激光钻通孔加工；对SiC基板的整板镀导电介质；其中所述通孔由所述导电介质完全填充；对所述SiC基板的第一表面的导电介质进行图形化刻蚀；对所述SiC基板的第二表面的导电介质进行图形化刻蚀；气相淀积SiO2，形成基板保护层；对所述SiC基板的上表面的基板保护层进行图形化刻蚀，在图形化区域内露出金属焊盘电极；在所述金属焊盘电极上生长晶格适配层；所述晶格适配层的晶格结构与所述LED的晶格结构相同。
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