[发明专利]形成用于场板形成的阶梯式电介质的方法有效
| 申请号： | 201410184065.6 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN104134694B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | S·彭哈卡;N·特珀尔内尼 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件(100)形成有在至少三个相继区域(104)(106)(108)和(110)上的阶梯式场板(134)，其中该阶梯式场板之下的每个区域中的总电介质厚度与前一区域相比至少厚10％。每个区域中的总电介质厚度是一致的。该阶梯式场板被形成在至少两个电介质层(116)和(122)之上，所述至少两个电介质层之中的至少总数减一数目的电介质层被图案化，以使得该阶梯式场板的一个或多个区域中的至少一部分图案化电介质层被移除。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 阶梯 电介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：半导体衬底；限定在所述衬底之上的第一场板区域，限定在所述衬底之上的邻近所述第一场板区域的第二场板区域，以及限定在所述半导体衬底之上的邻近所述第二场板区域的第三场板区域；与所述半导体衬底接触设置的第一电介质层，其中所述第一电介质层的至少一部分在所述第一场板区域、所述第二场板区域以及所述第三场板区域之中的至少一个内是缺失的；设置在所述第一电介质层和所述半导体衬底之上的第二电介质层；以及在所述第一场板区域、所述第二场板区域以及所述第三场板区域内设置在所述第一电介质层和所述第二电介质层之上的阶梯式场板，其中：在所述第一场板区域内所述阶梯式场板与所述半导体衬底之间的单位面积电容比在所述第二场板区域内所述阶梯式场板与所述半导体衬底之间的单位面积电容大至少10％；并且在所述第二场板区域内所述阶梯式场板与所述半导体衬底之间的单位面积电容比在所述第三场板区域内所述阶梯式场板与所述半导体衬底之间的单位面积电容大至少10％。
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