[发明专利]FinFET器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410184974.X | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105097526B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 毛刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种FinFET器件的制作方法，包括以下步骤：提供衬底(10)；在衬底(10)上形成伪鳍(21)；在伪鳍(21)的侧面上形成间隔层(41)，伪鳍(21)的材质为金属化合物。本发明的技术方案有效地提高了FinFET器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET器件的制作方法，包括以下步骤：提供衬底(10)；在所述衬底(10)上形成伪鳍(21)；在所述伪鳍(21)的侧面上形成间隔层(41)，其特征在于，所述伪鳍(21)的材质为金属化合物，在所述伪鳍(21)的侧面上形成所述间隔层(41)的步骤中，进一步包括以下步骤：在所述伪鳍(21)的表面上形成预备层，所述预备层包括所述间隔层(41)和顶壁层(42)；刻蚀所述顶壁层(42)得到所述间隔层(41)；在所述伪鳍(21)的侧面上形成所述间隔层(41)的步骤之后，还包括以下步骤：去除所述伪鳍(21)，形成间隔硬掩膜层；通过刻蚀形成鳍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
