[发明专利]一种制备金红石二氧化钛纳米花阵列薄膜的方法无效
| 申请号： | 201410185650.8 | 申请日： | 2014-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN103936066A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 吴进明;印家星 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的制备金红石二氧化钛纳米花阵列薄膜的方法，包括如下步骤：将氢氟酸、硝酸与去离子水混合，配得酸洗液；将在酸洗液中清洗干净的金属钛板浸入质量浓度为10～20%的双氧水溶液中反应，在金属钛板表面形成非晶结构的二氧化钛多孔薄膜；然后将其浸没于热水中，用硫酸调节pH值到1.0~2.0，反应36～55小时，用去离子水冲洗，干燥。本发明将钛片直接放入双氧水中反应，简单易行，重复性好，生产周期短，成本低，适用于大规模工业化生产。所制薄膜与基底结合牢固。可广泛应用在光催化、光电催化、薄膜太阳能电池、气体传感器、生物材料等众多领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 金红石 氧化 纳米 阵列 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备金红石二氧化钛纳米花阵列薄膜的方法，其特征是包括如下步骤：1）将质量百分比浓度为50～55%的氢氟酸、质量百分比浓度为65～68%的硝酸与去离子水按体积比1：3：6混合，得酸洗液；2)将清洗干净的金属钛板浸入质量浓度为10～20%的双氧水溶液中，在80℃下反应1～48小时，在金属钛板表面形成非晶结构的二氧化钛多孔薄膜；3）将步骤2)制得的二氧化钛多孔薄膜浸没于60～80℃热水中，用硫酸调节pH值到1.0~2.0，反应36～55小时后取出，用去离子水冲洗，干燥，得到金红石二氧化钛纳米花阵列薄膜。
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