[发明专利]张驰振荡器有效

专利信息
申请号: 201410186057.5 申请日: 2014-03-19
公开(公告)号: CN104935303B 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 王正香 申请(专利权)人: 恩智浦美国有限公司
主分类号: H03K3/02 分类号: H03K3/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 金晓
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种张驰振荡器在仅两个电流源之间共享充电电流和比较器偏置电流,从而放松了对总供电电流的需求。所带来的功耗的降低对振荡器的速度和精度没有负面影响。开关设置在两个电流源和两个充电电容器及其相关比较器之间引导充电和偏置电流。
搜索关键词: 张弛 振荡器
【主权项】:
1.一种振荡器电路,包括:触发器,用于在其输出端产生时钟信号;第一和第二电流源;第一和第二电容器;第一和第二比较器,用于分别将第一和第二电容器两端的电压与参考电压进行比较,其中每个比较器都具有连接至触发器输入的输出;以及开关电路,连接至触发器的输出并被设置为(i)在时钟信号的第一半周期,将第一充电电流从第一电流源引导至第一电容器并将第一偏置电流从第二电流源引导至第一比较器,和(ii)在时钟信号的第二半周期,将第二充电电流从第二电流源引导至第二电容器并将第二偏置电流从第一电流源引导至第二比较器;其中所述触发器包括具有R端、S端、Q端和/Q端的SR触发器,R端接收第一比较器的输出,S端接收第二比较器的输出,Q端提供时钟信号,/Q端提供反相时钟信号;其中:第一电流源包括第一PMOSFET,第一PMOSFET的源极端接收电源电压VDD,第一PMOSFET的漏极端连接至开关电路,第一PMOSFET的栅 极端连接至偏置电压VB;和第二电流源包括第二PMOSFET,第二PMOSFET的源极端接收电源电压VDD,第二PMOSFET的漏极端连接至开关电路,第二PMOSFET的栅 极端连接至偏置电压VB和第一PMOSFET的栅 极端;其中开关电路包含:第一开关,第一开关的源极端连接至第一PMOSFET的漏极端,第一开关的漏极端连接至第一电容器的第一端以用于提供第一充电电流给第一电容器,并且第一开关的栅 极端连接至SR触发器的/Q端;第二开关,第二开关源极端连接至第一PMOSFET的漏极端,第二开关的漏极端连接至第二比较器的一端以用于给第二比较器提供第二偏置电流,并且第二开关的栅 极端通过第一反相器连接至SR触发器的/Q端;第三开关,第三开关的源极端连接至电源电压VSS,第三开关的漏极端连接至第一开关的漏极端,并且第三开关的栅极端连接至SR触发器的/Q端;第四开关,第四开关的源极端连接至第二PMOSFET的漏极端,第四开关的漏极端连接至第一比较器的一端以用于给第二比较器提供第一偏置电流,并且第四开关的栅 极端通过第二反相器连接至SR触发器的Q端;第五开关,第五开关的源极端连接至第一PMOSFET的漏极,第五开关的漏极端连接至第二电容器的第一端以用于提供第二充电电流给第二电容器,并且第五开关的栅 极端连接至SR触发器的Q端;以及第六开关,第六开关的源极端连接至电源电压VSS,第六开关的漏极端连接至第二PMOSFET的漏极端,并且第六开关的栅极端连接至SR触发器的Q端,其中,(i)在时钟信号的第一半周期,第一开关将第一充电电流从第一电流源引导至第一电容器,并且第四开关将第一偏置电流从第二电流源引导至第一比较器,和(ii)在时钟信号的第二半周期,第五开关将第二充电电流从第二电流源引导至第二电容器,并且第二开关将第二偏置电流从第一电流源引导至第二比较器。
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