[发明专利]一种S-腺苷甲硫氨酸分子印迹传感器的制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种SAM分子印迹传感器的制备方法，其特征是：首先将玻碳电极用纳米金和碳纳米管修饰，溶胶-凝胶印迹技术、层层自组装法和电聚合法相结合，在纳米金和碳纳米管修饰玻碳电极表面成功地研制了一种具有特异选择性的印迹电化学传感器，本发明制备的SAM分子印迹传感器的响应大大提高。该印迹传感器对SAM表现出较高的亲和性和选择性。该SAM分子印迹传感器与电化学工作站连接构成能够专一模板分子识别传感器。本发明制得的传感器成本低、灵敏度高、特异性好、检测快速，可反复使用。 

主权项

一种SAM分子印迹传感器的制备方法，其特征是：在于该方法具有以下工艺步骤：（1）纳米金和碳纳米管修饰玻碳电极制备：将玻碳电极依次用0.3μm、0.05μmAl₂O₃粉末进行表面抛光，然后用高纯水超声清洗，用氩气吹干，在玻碳电极表面滴加5~10μL碳纳米管的N,N‑二甲基甲酰胺分散液，置于红外灯下，挥发干溶剂后，放入0.1mol/L氯金酸溶液浸泡20~30h，取出后用去离子水洗涤，自然干燥，即得纳米金和碳纳米管修饰玻碳电极；（2）氧化碳纳米管的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入39~62%浓硫酸，0.5~3.0%碳纳米管，1.0~8.0%高锰酸钾，超声分散60~90min，缓慢加入30~55%去离子水，各组分含量之和为百分之百，然后在80~90℃搅拌反应6~8 h，冷却至室温，过滤，用1 mol/LHCl洗涤，再用去离子水反复洗涤至滤液为中性，干燥，得到氧化碳纳米管；（3）印迹溶胶的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，γ‑巯丙基三乙氧基硅烷：7~18%，甲基三甲氧基硅烷：1.0~4.0%，2‑乙氧基乙醚：55~78%，0.1 mol/LHCl：8~18%，去离子水：1.0~8.0%，搅拌1~2 h，再加入SAM：0.05~1.0%，各组分含量之和为百分之百，继续搅拌20~30min，即得印迹溶胶；（4）SAM分子印迹传感器的制备方法：取步骤（3）的印迹溶胶于小烧杯中，将步骤（1）制备的碳纳米管修饰玻碳电极放入其中，在‑0.20~0.4V电位范围内，扫描速率为50mV/s，采用循环伏安法扫描20~30圈至扫描曲线稳定，再将该电极用去离子水反复浸泡，洗脱模板分子，即得检测SAM的分子印迹传感器。