[发明专利]一种KDP类晶体生长载晶架及生长方法有效

专利信息
申请号: 201410186495.1 申请日: 2014-05-05
公开(公告)号: CN105088343B 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 涂衡;胡章贵;岳银超;赵营 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: C30B29/14 分类号: C30B29/14;C30B7/08
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 王文君
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种KDP类晶体生长载晶架,所述载晶架包括上横杆、两个侧杆、下横板以及籽晶杆;其中两个侧杆与上横杆、下横板围成“口”字形结构;所述籽晶杆固定于所述上横杆的中间位置。本发明还提供了一种KDP类晶体的生长方法,采用本发明提供的载晶架进行晶体的生长。本发明提供的载晶架,对现有载晶架的结构进行了改进,将籽晶放置于下横板中心处细长的深凹槽内,此处溶液流动受到限制,使得籽晶可经受住长时间溶液过热处理而不致溶完,待溶液温度降低至饱和点以下即开始生长。避免了在溶液过热处理后,在溶液中引入载晶架而对溶液稳定性的影响。本发明提供的KDP类晶体生长方法能有效提高晶体生长成功率,加快晶体生长速度,提高晶体质量。
搜索关键词: 一种 kdp 晶体生长 载晶架 生长 方法
【主权项】:
一种KDP类晶体生长载晶架,其特征在于,所述载晶架包括上横杆、两个侧杆、下横板以及籽晶杆;其中,两个侧杆与上横杆、下横板围成“口”字形结构,从侧柱方向看为“⊥”形;所述籽晶杆固定于所述上横杆的中间位置;所述下横板上表面的中央为细长的深凹槽,用于放置籽晶,凹槽的尺寸为(0.5‑5mm)×(0.5‑5mm)×(5‑30mm)。
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