[发明专利]基于p‑n异质结的自驱动气体传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201410187007.9 | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN105092654B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 张珽;刘林;李光辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,杨林 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于p‑n异质结的自驱动气体传感器，其包括由半导体材料形成的基底、形成在基底上的绝缘层和第一金属电极层、形成在绝缘层上的第二金属电极层及形成在第二金属电极层上的单壁碳纳米管薄膜层，其中，所述绝缘层设置至少一个窗口，所述第二金属电极层围绕所述窗口，所述单壁碳纳米管薄膜层填充所述窗口，以与所述基底接触。本发明还公开一种基于p‑n异质结的自驱动气体传感器的制作方法。本发明的基于p‑n异质结的自驱动气体传感器及其制作方法，制作过程简单，利于工业化大规模生产，并且成本较低、灵敏度高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 异质结 驱动 气体 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于p‑n异质结的自驱动气体传感器，其特征在于，包括由半导体材料形成的基底、形成在基底上的绝缘层和第一金属电极层、形成在绝缘层上的第二金属电极层及形成在第二金属电极层上的单壁碳纳米管薄膜层，其中，所述绝缘层设置至少一个窗口，所述第二金属电极层围绕所述窗口，所述单壁碳纳米管薄膜层填充所述窗口，以与所述基底接触。
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