[发明专利]一种氧化锌压敏电阻介质材料及片式电阻器制备方法在审

专利信息
申请号: 201410187029.5 申请日: 2014-05-06
公开(公告)号: CN105084885A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 宋远强;游钦禄 申请(专利权)人: 游钦禄;宋远强
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;H01C7/112;H01C17/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610101 四川省成都市龙泉*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种氧化锌压敏电阻介质材料及片式电阻器制备方法。所属氧化锌压敏电阻介质材料以氧化锌为主原料,采用无铅、无镉配方添加Bi2O3、CoO、MnO、Sb2O3、Cr2O3、TiO2、SrO、In2O3、NiO、ZrO2、SiO2,两种以上氧化物所组成材料配方,该氧化锌压敏电阻介质材料适合制作片式氧化锌压敏电阻器,采用该介质材料所制备的片式氧化锌压敏电阻器具有规定电流下的电压范围宽(200V/mm~1200V/mm)、非线性系数高(48~80)和漏电流小0.2~1.0μA的优良电性能特征。烧结温度范围850~1160℃,制备工艺采用多层片式电容器生产制造技术,工艺简单易控,便于实现低成本的工业化生产。
搜索关键词: 一种 氧化锌 压敏电阻 介质 材料 电阻器 制备 方法
【主权项】:
一种氧化锌压敏电阻介质材料及片式电阻器制备方法,其特征在于,主成分包括78~96%的ZnO、所添加的氧化物含量为0.1~6.2%的Bi2O3、0.1~2.0%的CoO、0.3~2.5%的MnO、0.1~1.5%的Sb2O3、0.1~1.5%的Cr2O3、0.5~5.6%的TiO2、0.1~1.0%的In2O3、0.5~3.8%的Ni2O3、0.1~1.5%的ZrO2、0.2~2.0%的SiO2,上述氧化物组分含量均为质量百分比含量,添加两种以上的氧化物配制而成。
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