[发明专利]一种基片承载装置及基片处理设备有效
| 申请号： | 201410187037.X | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105097621B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 张慧;吴军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基片承载装置，包括基座和用于盛放基片的承载槽，所述承载槽形成在所述基座上，其特征在于，所述基片承载装置还包括能够导热的传导层，所述传导层设置于所述承载槽底壁的上表面上，所述传导层能够在所述基片的工艺温度下软化。相应地，本发明还提供一种包括上述基片承载装置的基片处理设备。本发明能够使基片下表面与承载槽底壁的传导层完全接触，减小由于基片翘曲而导致的基片中心和边缘的温度梯度，相应的减小基片的热应力，抑制位错及滑移线的产生，使得基片受热均匀，外延质量提高，从而提高工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 承载 装置 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种基片承载装置，包括基座和用于盛放基片的承载槽，所述承载槽形成在所述基座上，其特征在于，所述基片承载装置还包括能够导热的传导层，所述传导层设置于所述承载槽底壁的上表面上，所述传导层能够在所述基片的工艺温度下软化，且在所述工艺温度下所述传导层的表面为固态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
