[发明专利]一种分隔结构的金属软磁薄膜在审
| 申请号： | 201410187228.6 | 申请日： | 2014-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN104008847A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 王群;金鑫;唐章宏;李永卿 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01F10/08 | 分类号： | H01F10/08;H01F1/12 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有分隔结构特征的金属软磁薄膜。对金属软磁薄膜进行水平或垂直分隔，或者对金属软磁薄膜进行水平且垂直分隔，或者对金属软磁薄膜进行一级或多级发射状分隔。通过结构分隔方法，使金属软磁薄膜材料形成特征结构，既保持有取向的高磁导率，又有效阻隔高频交变磁场激励下在金属软磁材料中产生的感应涡电流，抑制涡流效应，扩大金属软磁薄膜材料的高频应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分隔 结构 金属 薄膜 | ||
【主权项】：
一种分隔结构的金属软磁薄膜，其特征在于：对金属软磁薄膜进行水平或垂直分隔，或者对金属软磁薄膜进行水平且垂直分隔，或者对金属软磁薄膜进行一级或多级发射状分隔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410187228.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
