[发明专利]高崩溃电压金属‑绝缘体‑金属电容器有效
| 申请号： | 201410187531.6 | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN105097959B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 花长煌;劭耀亭;许政庆;朱文慧 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)11301 | 代理人： | 刘祖芬 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高崩溃电压金属‑绝缘体‑金属电容器，应用于复合半导体集成电路，包括一基板、一隔离层、一第一金属层、一介电材料层、一粘合层以及一第二金属层；其中介电材料层是由复数层二氧化铪（HfO2）层与复数层二氧化硅（SiO2）层交替堆叠而成，复数层二氧化铪层的每一层的厚度大于30Å且小于100Å，借此使得复数层二氧化铪层的每一层的二氧化铪的漏电流降低以及崩溃电压提高且同时保有高电容密度；且由复数层二氧化铪层与复数层二氧化硅层交替堆叠而成的介电材料层的厚度大于500Å，借此使得电容器的崩溃电压提高至50V以上。 | ||
| 搜索关键词： | 崩溃 电压 金属 绝缘体 电容器 | ||
【主权项】：
一种高崩溃电压金属‑绝缘体‑金属电容器，应用于复合半导体集成电路，其特征包括：一基板；一隔离层，形成于该基板之上；一第一金属层，形成于该隔离层之上；一介电材料层，形成于该第一金属层之上，其中该介电材料层是由复数层二氧化铪层与复数层二氧化硅层交替堆叠而成；一粘合层，形成于该介电材料层之上；以及一第二金属层，形成于该粘合层之上；其中该复数层二氧化铪层的每一层的厚度大于30Å且小于100Å，借此使得该复数层二氧化铪层的每一层的二氧化铪的漏电流降低以及崩溃电压提高且同时保有高电容密度；且由该复数层二氧化铪层与该复数层二氧化硅层交替堆叠而成的该介电材料层的厚度大于500Å，借此使得该高崩溃电压金属‑绝缘体‑金属电容器的崩溃电压提高至50V以上。
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