[发明专利]一种具有温度补偿功能的基准电压产生电路

摘要

一种具有温度补偿功能的基准电压产生电路，涉及参考电压源技术领域。本发明包括依次连接的正温度系数电压产生电路和类LDO电路。所述正温度系数电压产生电路由单级或多级单元电路组成，每级单元电路包括采用MOS管的偏置电流源P和两个NMOS管。各级单元电路顺序级联，每级单元电路中的NMOS管A的栅极与NMOS管B的栅极相连接后分别接至NMOS管A的漏极与偏置电流源P的漏极，NMOS管A的源极与NMOS管B的漏极相连接作为输出节点。偏置电流源P产生的电流经过该级NMOS管A与NMOS管B后由NMOS管B的源极连接至下一级单元电路中NMOS管A的源极和NMOS管B的漏极。所述类LDO电路包括运算放大器和输出单元。本发明在不显著增加面积的情况下，有效降低系统功耗，且具有温度补偿功能。

主权项

一种具有温度补偿功能的基准电压产生电路，其特征在于，它包括依次连接的正温度系数电压产生电路（11）和类LDO电路（22），正温度系数电压产生电路（11）输出的具有正温度系数的电压通过类LDO电路（22）与具有负温度系数的电压进行叠加后，在类LDO电路（22）的输出端输出低温度系数的基准参考电压（Vref）；所述正温度系数电压产生电路（11）由单级或多级单元电路组成，每级单元电路包括采用MOS管的偏置电流源P和两个NMOS管，各级单元电路顺序级联，每级单元电路中的NMOS管A的栅极与NMOS管B的栅极相连接后分别接至NMOS管A的漏极与偏置电流源P的漏极，NMOS管A的源极与NMOS管B的漏极相连接，偏置电流源P产生的电流经过该级NMOS管A与NMOS管B后由NMOS管B的源极连接至下一级单元电路中NMOS管A的源极和NMOS管B的漏极，最后一级单元电路中NMOS管B的源极接地，第一级单元电路中NMOS管A源极与NMOS管B漏极的连接点作为输出节点；所述类LDO电路（22）包括运算放大器和输出单元，运算放大器包括晶体管零（M0）、晶体管一（M1）、晶体管二（M2）、晶体管三（M3）和晶体管四（M4），输出单元包括功率管五（M5）、功率管六（M6）和功率管七（M7），其中晶体管零（M0）的栅极与正温度系数电压产生电路（11）的输出节点相连接，晶体管零（M0）的源极与晶体管一（M1）的源极相连并接至晶体管四（M4）的漏极，晶体管二（M2）的栅极与晶体管三（M3）的栅极相连并接至晶体管三（M3）的漏极，晶体管二（M2）与晶体管三（M3）构成自偏置电流镜，晶体管零（M0）的漏极与晶体管二（M2）的漏极相连并接至输出单元的功率管六（M6）的栅极，晶体管一（M1）的栅极分别与功率管五（M5）的漏极和栅极相连接，功率管五（M5）的源极与功率管六（M6）的漏极相连且以该节点作为所需基准参考电压点，功率管七（M7）的栅极连接到晶体管四（M4）的栅极，功率管七（M7）的的漏极接功率管五（M5）的的漏极，功率管七（M7）的源极接地，所述多级的单元电路通过在除最后一级和第一级之外的其它单元电路中将NMOS管B的源极经开关接地来控制整个电路的级数及对电路输出进行调整。