[发明专利]基于二维层状材料的SOI基微环滤波器无效
| 申请号： | 201410188123.2 | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN103941345A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 鲍桥梁;李鹏飞;李绍娟;甘胜;孙甜 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G02B6/293 | 分类号： | G02B6/293 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 刘懿 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于二维层状材料的SOI(Semicon-on-insulator)基微环滤波器，包括一个埋氧层和顶层硅组成的SOI衬底，顶层硅上设有一组SOI微环谐振腔、输入直波导和输出直波导，输入直波导和输出直波导位于SOI微环谐振腔的上下两侧，构成SOI波导结构；SOI波导结构上覆盖有一个二维层状材料，输入直波导的两端分别设有输入端光栅和直通端光栅，输出直波导的一端设有输出端光栅；SOI微环谐振腔与输入直波导和输出直波导最接近的区域分别形成第一、第二耦合区域。本发明利用二维层状材料的可饱和吸收效应对SOI基滤波器进一步过滤，与传统技术相比，具有更窄的3dB带宽、更高的消光比、更少的噪声、CMOS工艺兼容等优点，可以在未来的片上光互连网络中获得广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 层状 材料 soi 基微环 滤波器 | ||
【主权项】：
基于二维层状材料的SOI基微环滤波器，其特征在于：包括一个由埋氧层（31）和顶层硅（32）组成的SOI衬底（3），所述顶层硅（32）上设置有一组SOI微环谐振腔（1）、输入直波导（9）和输出直波导（10），所述输入直波导（9）和所述输出直波导（10）分别位于所述SOI微环谐振腔（1）的上下两侧，构成SOI波导结构；所述SOI波导结构上覆盖有一个二维层状材料（2），所述输入直波导（9）的两端分别设有输入端光栅（4）和直通端光栅（5），所述输出直波导（10）的一端设有输出端光栅（6）；所述SOI微环谐振腔（1）与所述输入直波导（9）最接近的区域形成第一耦合区域（7），所述SOI微环谐振腔（1）与所述输出直波导（10）最接近的区域形成第二耦合区域（8）。
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