[发明专利]功率放大器在审
申请号: | 201410188575.0 | 申请日: | 2014-05-06 |
公开(公告)号: | CN103944522A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 郑烷;胡铁刚 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H03F1/30;H03F1/32 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;刘锋 |
地址: | 310012*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 公开了一种功率放大器,包括:在电源端和地之间串联连接的第一电阻、扼流电感和第一晶体管;连接在功率放大器的输入端与第一晶体管的栅极之间的输入耦合电路;以及连接在功率放大器的输出端与扼流电感和第一晶体管的第一中间节点之间的输出耦合电路,其中,所述功率放大器还包括与第一晶体管的栅极相连接的偏置电路,使得第一晶体管的工作点跟随电源电压的变化。该功率放大器可以降低第一晶体管的耐压要求,并且使得第一晶体管在第一中间节点的输出信号的直流分量大致等于电源电压的一半,以确保功率放大器的输出功率,并且可以改善可靠性和线性度。 | ||
搜索关键词: | 功率放大器 | ||
【主权项】:
1.一种功率放大器,包括:在电源端和地之间依次串联连接的第一电阻、扼流电感和第一晶体管;连接在功率放大器的输入端与第一晶体管的栅极之间的输入耦合电路;以及连接在功率放大器的输出端与扼流电感和第一晶体管的第一中间节点之间的输出耦合电路,其中,所述功率放大器还包括连接在电源端和第一晶体管的栅极之间的偏置电路,所述偏置电路产生偏置电压施加在所述第一晶体管的栅极上,使得第一电阻的电压降跟随电源电压的变化,从而所述第一晶体管的工作点跟随电源电压的变化,其中,所述偏置电路包括:串联连接在供电端和地之间的第二电阻和第二晶体管,在第二电阻和第二晶体管之间的第二中间节点产生检测电压;连接至第二晶体管的栅极的第三电阻;连接至第一晶体管的栅极的第四电阻;以及运算放大器,其同相端接收检测电压,其反相端接收参考电压,其输出端经由第三电阻连接至第二晶体管的栅极,以及经由第四电阻连接至第一晶体管的栅极,其中,运算放大器以反馈方式调整第一晶体管和第二晶体管的工作点。
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