[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述制备方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括中心区域和边缘区域，在所述半导体衬底上形成有若干浮栅结构，在相邻的所述浮栅结构之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以形成凹槽，露出所述浮栅结构的部分侧壁；沉积覆盖层，以填充所述凹槽并覆盖所述浮栅结构；湿法蚀刻去除部分所述覆盖层，以再次露出所述浮栅结构的部分侧壁。本发明所述方法在COPEN工艺步骤之后，进一步沉积覆盖层，然后湿法蚀刻去除部分所述覆盖层，通过在所述边缘区域剩余部分所述覆盖层以补偿所述边缘区域氧化物的厚度，提高了器件的性能和良率。

主权项

1.一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括中心区域和边缘区域，在所述半导体衬底上形成有若干浮栅结构，在相邻的所述浮栅结构之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以形成凹槽，露出所述浮栅结构的部分侧壁；沉积覆盖层，以填充所述凹槽并覆盖所述浮栅结构；湿法蚀刻去除部分所述覆盖层，以使所述浮栅结构之间的浅沟槽隔离结构具有相同的厚度并再次露出所述浮栅结构的部分侧壁。