[发明专利]高电子迁移率电晶体植入硼隔离结构的制作方法

摘要

本发明提供一种高电子迁移率电晶体植入硼隔离结构的制作方法，包括依序形成一基板、一成核层、一缓冲层、一能障层、一覆盖层、一光阻层；划定并曝光显影去除至少一隔离区域范围内的光阻层；执行复数次一离子布植程序，包括将垂直于基板的轴与一硼（B）离子束的射出方向形成一植入角以及将基板沿着垂直轴旋转一扭转角，并于旋转基板期间将硼离子束以植入角布植入至少一隔离区域范围内的覆盖层、能障层、缓冲层、成核层以及基板以形成一隔离结构；曝光显影去除剩余的光阻层；再于覆盖层上形成一源极、一汲极以及一闸极。

主权项

一种高电子迁移率电晶体植入硼隔离结构的制作方法，包括以下步骤：形成一成核层于一基板之上；形成一缓冲层于该成核层之上；形成一能障层于该缓冲层之上；涂布一光阻层于该能障层之上；划定至少一隔离区域范围于该光阻层的上表面；曝光显影去除该至少一隔离区域范围内的该光阻层；执行复数次一离子布植程序，其中该离子布植程序包括以下步骤：步骤一：将垂直于该基板的轴与一硼（B）离子束的射出方向形成一植入角；以及步骤二：将该基板沿着垂直于该基板的轴旋转一扭转角，并于开始旋转该基板至结束旋转该基板期间将该硼离子束以该植入角的角度布植入该至少一隔离区域范围内的该能障层、该缓冲层、该成核层以及该基板的内部，借助该硼离子束的植入所产生电性隔离的效果而形成一隔离结构，其中该隔离结构是由该至少一隔离区域范围内的已植入硼离子的该能障层、该缓冲层、该成核层以及该基板所构成；并借助该硼离子束无法穿透该光阻层的特性，使该硼离子束无法布植入该至少一隔离区域范围以外的区域；其中该植入角为大于0度且小于10度，且该扭转角为大于15度且小于30度；曝光显影去除剩余的该光阻层；形成一源极于该能障层上的一端；形成一汲极于该能障层上的另一端；以及形成一闸极于该能障层之上，且该闸极介于该源极与该汲极之间。