[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410190671.9 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN105084298B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;何昭文;郑召星 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有铝焊盘，所述半导体衬底表面形成有钝化层，所述钝化层具有露出所述铝焊盘的开口；在所述钝化层的预形成悬空微结构的区域上形成牺牲层；形成覆盖所述牺牲层的锗硅层；图案化所述锗硅层并去除所述牺牲层以形成所述悬空微结构；对所述铝焊盘进行疏水化处理。根据本发明的通过使铝焊盘表面疏水化的方法，有效防止氢氟酸对铝焊盘的腐蚀，进而提高器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有铝焊盘，所述半导体衬底表面形成有钝化层，所述钝化层具有露出所述铝焊盘的开口；在所述钝化层的预形成悬空微结构的区域上形成牺牲层；形成覆盖所述牺牲层的锗硅层；图案化所述锗硅层并去除所述牺牲层以形成所述悬空微结构；对所述铝焊盘进行疏水化处理，所述疏水化处理包括依次采用硬脂酸的己烷溶液和二环己基碳二亚胺的己烷溶液对所述铝焊盘进行疏水化处理；对所述锗硅层进行清洗，其中，采用氢氟酸进行所述清洗。
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