[发明专利]一种硫化镉量子点的制备方法有效
| 申请号： | 201410191162.8 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103936058A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 解仁国;王硕;李冬泽;杨文胜 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02;C09K11/56;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的一种硫化镉量子点的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种全新方法制备尺寸可调，单分散性良好的半导体量子点。本发明用羧酸镉作为镉源，用(TMS)2S作为硫源，合成一定尺寸的CdS半导体纳米簇，以此作为合成CdS量子点的反应前体，将配体与非配位型溶剂混合加热，注入制得的CdS纳米簇，得到CdS量子点。本发明的量子点合成方法具有创新性，并且操作简便，反应快速，可进行大量合成，制得的量子点尺寸可调控，具有优良的单分散性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硫化镉量子点的制备方法，其特征在于，将(TMS)2S的十八烯溶液注入到N2保护的羧酸镉的十八烯溶液中，在80℃～120℃温度下进行反应，得到CdS纳米簇，再以制得的CdS纳米簇作为反应前体，以有机胺作为配体，以十八烯为溶剂，在200℃～260℃温度下以热注入的方法反应1～10分钟，得到CdS量子点。
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