[发明专利]贴合分离方法及分离装置有效
申请号: | 201410191690.3 | 申请日: | 2014-05-08 |
公开(公告)号: | CN104143499B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 横田道也 | 申请(专利权)人: | 信越工程株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 吕林红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种贴合分离方法及分离装置,其通过真空破坏从支承基板毫不费劲地、轻松地分离薄板基板。在大气压气氛中,在贴合基板(4)的密封件(3)的至少一部分插入贯穿部件来开设出通孔,由此,在此之前密封件(3)的内侧被气密保持成真空状态的真空空间(S)的气密被破坏,并且空气或液体等流体一次性进入到真空空间(S)内而被大气开放。通过该大气开放,密封件(3)从外侧和内侧这两侧被由大气压产生的来自外侧的压力和进入真空空间(S)内的流体的压力按压,因此成为薄壁而无需使薄板基板(1)变形就能够从支承基板(2)毫不费劲地进行剥离。 | ||
搜索关键词: | 贴合 分离 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种贴合分离方法,在薄板基板和加强用的支承基板被贴合的状态下,对所述薄板基板进行规定处理,在该处理结束之后,将所述薄板基板和所述支承基板分离,所述贴合分离方法的特征在于,所述支承基板具有:边框状且凹状的阶梯差部,其形成于所述支承基板的外周部分;以及抵接面,其形成为在除所述阶梯差部以外的中央部分与所述薄板基板的内表面对置,所述贴合分离方法包括:重叠工序,在真空气氛中,将所述薄板基板和所述支承基板接合,并以将边框状的密封件夹在所述薄板基板的所述内表面与所述支承基板的比所述抵接面靠外周的外周部分之间的方式贴合而形成贴合基板;及分离工序,在大气压气氛中,除掉所述贴合基板的所述密封件的至少一部分,并且向形成于所述密封件的内侧的真空空间放入流体而实现大气开放,在所述分离工序中,对沿着所述阶梯差部配置的所述密封件的至少一部分插入贯穿部件来开设出通孔,并且从所述通孔向所述真空空间导入大气压流体而使其大气开放。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越工程株式会社,未经信越工程株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410191690.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种浅沟槽的形成方法
- 下一篇:一种质谱仪核心部件的自动控制系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造