[发明专利]基于中通孔制作方法的TSV、M1、CT金属层一次成型方法有效
| 申请号： | 201410191709.4 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103956333A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李恒甫;张文奇 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于中通孔制作方法的TSV、M1、CT金属层一次成型方法，包括TSV的光刻和蚀刻，TSV光刻胶的去除和清洗；进行表面平坦化处理之后沉积接触孔CT氧化层；TSV绝缘层氧化物沉积；第一次BARC填充及刻蚀；接触孔CT光刻和蚀刻；接触孔CT光刻胶的去除和清洗；第二次BARC填充及刻蚀；金属线层M1的光刻和蚀刻；扩散阻挡层和种子层的沉积；金属导电物的填充；表面平坦化处理的步骤。本发明能够同时实现接触孔CT、硅通孔TSV和金属线层制作过程中扩散阻挡层、种子层、金属填充物的同步完成以及一次性平坦化处理，不仅提高了材料的利用率，降低了生产成本，还提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 中通孔 制作方法 tsv m1 ct 金属 一次 成型 方法 | ||
【主权项】：
基于中通孔制作方法的TSV、M1、CT金属层一次成型方法，其特征在于主要包括以下步骤：步骤一：TSV的光刻和蚀刻，TSV光刻胶的去除和清洗；步骤二：进行表面平坦化处理之后沉积接触孔CT氧化层；步骤三：TSV 绝缘层氧化物沉积；步骤四：第一次 BARC 填充及刻蚀；步骤五：接触孔CT光刻和蚀刻；步骤六：接触孔CT光刻胶的去除和清洗；步骤七：第二次BARC 填充及刻蚀；步骤八：金属线层M1的光刻和蚀刻；步骤九：扩散阻挡层和种子层的沉积；步骤十：金属导电物的填充；步骤十一：表面平坦化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
