[发明专利]制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法无效
| 申请号： | 201410191726.8 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103956417A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张恒;魏鸿源;杨少延;赵桂娟;金东东;王建霞;李辉杰;刘祥林;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法，包括：取一衬底；在衬底上生长一层氧化锌结晶层做为牺牲层；在氧化锌结晶层上低温生长一层半导体支撑层；在半导体支撑层的表面生长半导体单晶外延层，在生长过程中，使氧化锌结晶层的氧化锌分解，使半导体支撑层和半导体单晶外延层与衬底分离，该半导体支撑层和半导体单晶外延层为半导体晶体层；采用机械抛光的方法，将半导体晶体层的半导体支撑层去除，得到半导体单晶外延层，该半导体单晶外延层为非极性面或半极性面的单晶半导体自支撑衬底，完成制备。本发明具有低成本、大尺寸的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 极性 面单晶 半导体 支撑 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底，进行表面清洁后，置于材料生长设备的生长室内；步骤2：在衬底上生长一层氧化锌结晶层做为牺牲层；步骤3：在氧化锌结晶层上低温生长一层半导体支撑层；步骤4：将带有氧化锌结晶层和半导体支撑层的材料放置于卤化物气相外延设备的反应室中，采用氢气做载气并在高温条件下，在半导体支撑层的表面生长半导体单晶外延层，在生长过程中，由于高温和氢气对于氧化锌结晶层的刻蚀作用，使氧化锌结晶层的氧化锌分解，使半导体支撑层和半导体单晶外延层与衬底分离，该半导体支撑层和半导体单晶外延层为半导体晶体层；步骤5：采用机械抛光的方法，将半导体晶体层的半导体支撑层去除，得到半导体单晶外延层，该半导体单晶外延层为非极性面或半极性面的单晶半导体自支撑衬底，完成制备。
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