[发明专利]一种b轴取向的BaTi2O5薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410191839.8 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103952676A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李俊国;王传彬;王博;沈强;张联盟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/08;C23C14/28 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在电极材料上沉积b轴取向的BaTi2O5薄膜的制备技术。将BaTi2O5陶瓷采用激光脉冲沉积或磁控溅射的方式沉积在镀有Pt电极的基片上，得到非晶态的BaTi2O5薄膜；然后将沉积有薄膜的基片放在900-1000℃炉中退火，退火时将样品放在直流电场中，场强为200-3000V/cm，退火1-2小时即可得到高度b轴取向BaTi2O5薄膜。本发明可在Pt电极上制备出BaTi2O5薄膜，制备出的薄膜具有高度b轴取向；且本发明工艺简单，成本低廉，并可应用于制备其它取向薄膜，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 bati sub 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种b轴取向的BaTi2O5薄膜的制备方法，其特征在于包括在镀有Pt电极材料的基片上沉积出非晶态的BaTi2O5薄膜，然后放入炉内在电场辅助下退火。
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