[发明专利]p型氮化镓为主的三族氮化物半导体薄膜的薄膜溅镀过程

摘要

本发明提供一种p型氮化镓为主的三族氮化物半导体薄膜的薄膜溅镀过程，此技术所使用的靶材，其组成以氮化镓为主，另外还包含两种以上的金属组成，利用改变靶材组成，掺杂铜、镁、锌等金属，可以溅镀出p型氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓等半导体薄膜。靶材组成设计是主要关键，其中金属组成除了要考虑材料性质外，还需考量靶材致密化能力与金属合金化的能力，如此才能制作出p型氮化镓为主相的半导体薄膜。此类溅镀过程所得薄膜，可部分取代传统MOCVD制造LED所需以氮化镓为主相的三族氮化物薄膜，也可应用于需要三族氮化物的薄膜电子元件。

主权项

一种p型氮化镓为主的三族氮化物半导体薄膜的薄膜溅镀方法，其特征在于，包括：提供靶材，其中该靶材包括氮化镓及镓、氮化镓及镓及铝、或氮化镓及镓及铟；以及改变该靶材的组成，其中通过掺杂铜、镁、锌金属，以溅镀出p型氮化镓、p型氮化铝镓、p型氮化铟镓薄膜，该薄膜适用于发光二极管元件中的缓冲层、中间层、发光层或是以氮化镓为主的薄膜电子元件。